နေအိမ် > ထုတ်ကုန်များ > discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ > transistors - FETs, MOSFETs - လူပျို > CSD25304W1015
CSD25304W1015
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
အခမဲ့ / RoHS ကိုက်ညီဦးဆောင်လမ်းပြ
စျေးနှုန်းနှင့်ခဲအချိန်တောင်းခံပါ
CSD25304W1015 ရရှိနိုင်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် CSD25304W1015 ကိုထောက်ပံ့နိုင်သည်၊ CSD25304W1015 pirce နှင့်အချိန်ကိုတောင်းခံရန်တောင်းဆိုသည့် quote ပုံစံကိုသုံးနိုင်သည်။Atosn.com သည်ကျွမ်းကျင်သောအီလက်ထရောနစ်အစိတ်အပိုင်းများဖြန့်ဖြူးသူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့တွင်ကြီးမားသောစာရင်းရှိပြီးအမြန်ဆုံးပို့နိုင်သည်။ ယနေ့ကျွန်ုပ်တို့နှင့်ကျွန်ုပ်တို့အရောင်းကိုယ်စားလှယ်သည်အပိုင်း # CSD25304W1015 ရှိကုန်ပစ္စည်းတင်ပို့မည့်အသေးစိတ်အချက်အလက်များကိုဖော်ပြပေးပါလိမ့်မည်။နှင့်နည်းပညာအဖွဲ့, ငါတို့သည်သင်တို့နှင့်အတူအလုပ်လုပ်ရန်မျှော်လင့်နေပါတယ်။
တောင်းခံချက်
ကုန်ပစ္စည်း Paramters
- Id @ Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်)
- 1.15V @ 250µA
- Vgs (မက်စ်)
- ±8V
- နည်းပညာ
- MOSFET (Metal Oxide)
- ပေးသွင်း Device ကိုပက်ကေ့
- 6-DSBGA
- စီးရီး
- NexFET™
- Id, Vgs @ (မက်စ်) တွင် Rds
- 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
- ပါဝါကိုလွန်ကျူး (မက်စ်)
- 750mW (Ta)
- ထုပ်ပိုး
- Tape & Reel (TR)
- package / ဖြစ်ရပ်မှန်
- 6-UFBGA, DSBGA
- အခြားအမည်များ
- 296-40005-2
CSD25304W1015-ND
- Operating အပူချိန်
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- mounting အမျိုးအစား
- Surface Mount
- အစိုဓာတ်ကိုထိခိုက်လွယ်မှုအဆင့် (MSL)
- 1 (Unlimited)
- အခမဲ့အခြေအနေ / RoHS အဆင့်အတန်းကိုပို့ဆောငျ
- Lead free / RoHS Compliant
- Vds @ input capacitive (Ciss) (မက်စ်)
- 595pF @ 10V
- Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်)
- 4.4nC @ 4.5V
- FET အမျိုးအစား
- P-Channel
- FET Feature ကို
- -
- Drive ကိုဗို့အား (မက်စ် Rds တွင်, အောင်မင်း Rds တွင်)
- 1.8V, 4.5V
- အရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss) ကိုစစ်ထုတ်ဖို့အတွက်
- 20V
- အသေးစိတ်ဖျေါပွခကျြ
- P-Channel 20V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
- လက်ရှိ - အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (ID) ကို 25 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @
- 3A (Ta)
ဆင်တူပစ္စည်းများ
- CSD25304W1015
- CSD25304W1015 ဒေတာစာရွက်
- CSD25304W1015 အချက်အလက်စာရင်း
- CSD25304W1015 pdf အချက်အလက်ဇယား
- CSD25304W1015 အချက်အလက်စာရင်းကို download လုပ်ပါ
- CSD25304W1015 ပုံရိပ်
- CSD25304W1015 အစိတ်အပိုင်း