နေအိမ် > ထုတ်ကုန်များ > discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ > transistors - FETs, MOSFETs - လူပျို > STW48N60DM2
STW48N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 40A
အခမဲ့ / RoHS ကိုက်ညီဦးဆောင်လမ်းပြ
စျေးနှုန်းနှင့်ခဲအချိန်တောင်းခံပါ
STW48N60DM2 ရရှိနိုင်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် STW48N60DM2 ကိုထောက်ပံ့နိုင်သည်၊ STW48N60DM2 pirce နှင့်အချိန်ကိုတောင်းခံရန်တောင်းဆိုသည့် quote ပုံစံကိုသုံးနိုင်သည်။Atosn.com သည်ကျွမ်းကျင်သောအီလက်ထရောနစ်အစိတ်အပိုင်းများဖြန့်ဖြူးသူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့တွင်ကြီးမားသောစာရင်းရှိပြီးအမြန်ဆုံးပို့နိုင်သည်။ ယနေ့ကျွန်ုပ်တို့နှင့်ကျွန်ုပ်တို့အရောင်းကိုယ်စားလှယ်သည်အပိုင်း # STW48N60DM2 ရှိကုန်ပစ္စည်းတင်ပို့မည့်အသေးစိတ်အချက်အလက်များကိုဖော်ပြပေးပါလိမ့်မည်။နှင့်နည်းပညာအဖွဲ့, ငါတို့သည်သင်တို့နှင့်အတူအလုပ်လုပ်ရန်မျှော်လင့်နေပါတယ်။
တောင်းခံချက်
ကုန်ပစ္စည်း Paramters
- Id @ Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်)
- 5V @ 250µA
- Vgs (မက်စ်)
- ±25V
- နည်းပညာ
- MOSFET (Metal Oxide)
- ပေးသွင်း Device ကိုပက်ကေ့
- TO-247
- စီးရီး
- MDmesh™ DM2
- Id, Vgs @ (မက်စ်) တွင် Rds
- 79 mOhm @ 20A, 10V
- ပါဝါကိုလွန်ကျူး (မက်စ်)
- 300W (Tc)
- ထုပ်ပိုး
- Tube
- package / ဖြစ်ရပ်မှန်
- TO-247-3
- အခြားအမည်များ
- 497-16360-5
- Operating အပူချိန်
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- mounting အမျိုးအစား
- Through Hole
- အစိုဓာတ်ကိုထိခိုက်လွယ်မှုအဆင့် (MSL)
- 1 (Unlimited)
- အခမဲ့အခြေအနေ / RoHS အဆင့်အတန်းကိုပို့ဆောငျ
- Lead free / RoHS Compliant
- Vds @ input capacitive (Ciss) (မက်စ်)
- 3250pF @ 100V
- Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်)
- 70nC @ 10V
- FET အမျိုးအစား
- N-Channel
- FET Feature ကို
- -
- Drive ကိုဗို့အား (မက်စ် Rds တွင်, အောင်မင်း Rds တွင်)
- 10V
- အရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss) ကိုစစ်ထုတ်ဖို့အတွက်
- 600V
- အသေးစိတ်ဖျေါပွခကျြ
- N-Channel 600V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247
- လက်ရှိ - အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (ID) ကို 25 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @
- 40A (Tc)
ဆင်တူပစ္စည်းများ
- STMicroelectronics STW48N60DM2
- STW48N60DM2 ဒေတာစာရွက်
- STW48N60DM2 အချက်အလက်စာရင်း
- STW48N60DM2 pdf အချက်အလက်ဇယား
- STW48N60DM2 အချက်အလက်စာရင်းကို download လုပ်ပါ
- STW48N60DM2 ပုံရိပ်
- STW48N60DM2 အစိတ်အပိုင်း
- ST STW48N60DM2
- STMicroelectronics STW48N60DM2